受其缺陷薄膜質(zhì)量的限制，二維 Dion-Jacobson (DJ) 鈣鈦礦太陽能電池通常表現(xiàn)出較差的器件性能。剛性二銨有機層間間隔物不能容忍晶格失配，這會導(dǎo)致缺陷和畸變并最終降低光電性能。上海科技大學(xué)Gang Chen等人在甲脒(FA)基低維鈣鈦礦中引入了二次層間間隔物，并顯著提高了薄膜質(zhì)量。

　　靈活的單價間隔陽離子有效地減輕了晶格畸變并減少了晶體缺陷，為鈣鈦礦薄膜提供了理想的微觀形態(tài)、更好的晶體取向、減少的缺陷狀態(tài)和提高的電荷傳輸能力。

　　因此，基于 (PDA0.9PA0.2)(FA)3Pb4I13(PDA = 丙烷-1,3-二銨，PA = 丙基銨)薄膜的優(yōu)化鈣鈦礦太陽能電池 (PSC) 表現(xiàn)出 16.0 %，是同類結(jié)構(gòu)中最高的報告值。

　　此外，該器件還表現(xiàn)出增強的熱穩(wěn)定性，在85°C下老化800小時后仍保持其初始效率的90%。